戍天九思：华为芯片反制亮剑！底气越来越足

lameihua

　　最近，两个重磅消息冲上热搜。

　　★3月22日，国家知识产权局公布华为一批新专利，其中专利号为CN117751427A专利—— “自对准四重图案化半导体装置的制作方法以及半导体装置”（SAQP），格外引人注目，这就是业界翘首以盼的多重曝光芯片制造工艺。

　　★近日，路透社报道华为与国资芯片制造设备开发商新凯来正就一项创新的芯片制造方法申请专利。

　　笔者仔细查看了相关专利发现：华为的专利是2021年9月1日申请的，两年半后国家才公布，背后有何玄机？ 华为SAQP专利技术路线到底能走多远？华为面对层层加码的制裁，每次亮牌都留有备胎，这次公开专利说明什么？

　　国家推迟公布华为专利有何深意？

　　美国发动对华芯片战，层层加码、步步紧逼，中国芯片技术进步高度保密。特别是华为对卡脖子的技术，一定会更加注重保密，一般情况下，都是先有重大技术突破，然后立即投入小规模生产，往往会在量产成熟之后，才会申请专利。这样，公开专利事实上就是成熟产线的新闻发布会、新产品发布会！

　　华为SAQP专利是2021年9月1日申请的，2024年3月22日国家知识产权局才公布，时间长达两年半。笔者认为，国家推迟公布华为专利，既有反制美国芯片战整体布局的考量，也有保护华为的深意。而新凯来公司的专利申请2个月后就公布了，这是一家2021年8月才成立的公司。也就是说，新凯来公司是在华为SAQP专利申请前一个月新成立的，多说无益，你懂的。

　　华为SAQP专利有望实现5nm芯片制造

　　多重曝光技术，半导体巨头们都尝试过，但它太过于复杂，良品率和质量都难以保障。比如说，Intel 第一代 10nm 工艺就尝试过多重曝光，最终也没能成功，对应的处理器 （ Cannon Lake ） 最终被迫取消，第二代成功量产但性能也达不到要求，频率根本就上不去，甚至无法用于桌面台式机。再比如，Intel 即将量产的 18A 1.8nm 工艺，就因为等不到阿斯麦 新一代高 NA 光刻机，只能使用现有设备加双重曝光来实现。

　　华为SAQP技术是一种四重曝光技术，它代表了多重图案化技术的一种重要发展，特别适用于小于38nm的特征节距的图案化，能够达到19nm节距。

　　从去年华为Mater60 手机麒麟9000S的7纳米芯片大规模量产看，说明华为SAQP技术和工艺已经很成熟了。据说，下一步可以实现5nm芯片制造。

　　国家和华为或留有应对美国升级制裁的后手？

　　华为SAQP技术，是可以通过深紫外光刻机（DUV），制造出极紫外光刻机（EUV）制造的高档芯片。

　　国家知识产权局推迟公布华为专利，说明华为SAQP技术不仅还有潜力可挖，而且可能还要考虑后续美国加大制裁力度的应对。也就是说，华为和国家还有应对制裁升级的后手。为什么？战略后手又会是什么？

　　现在，美国对华芯片战已经变成一场持久战。随着芯片战的不断升级，中国反制慢慢地也有了国家总体布局，特别是打先锋的华为每一次亮剑都有备胎。随着美国对华为制裁的升级，华为的备胎一个个转正，先是麒麟芯片备胎转正，然后鸿蒙操作系统备胎转正，还有高斯数据库转正、芯片设计工具EDA转正、企业管理系统MetaERP转正，等等。打不死的华为，从来不打无准备之仗、不打无把握之仗。

　　笔者认为，美国对华芯片战打了5年，中国越打越强，去年中芯国际28纳米国产光刻机已经量产。现在，是不是更先进的国产光刻机技术已经突破了呢？中国是不是慢慢地可以摆脱对阿斯麦光刻机的依赖了？